ルネサス エレクトロニクス株式会社(6723）とGaN(窒化ガリウム)パワー半導体のグローバルリーダーであるTransphorm, Inc.(米国カリフォルニア州)は、このたび、ルネサスが子会社を通じてTransphorm社を現金によって買収する合併契約を締結した。
本件買収では、ルネサスがTransphorm社の発行済普通株式の全てを、Transphorm社の2024年1月10日付の終値に約35％のプレミアムを付与し、1株当たり5.10米ドルで買収する。これは、直近12か月平均の株価に対し約56％のプレミアム、直近6か月平均の株価に対しては約78％のプレミアムに相当する。
買収総額は、約339百万ドル(1米ドル145円換算で約492億円)となる。
Transphorm社は、高電圧電力変換アプリケーション向けの高性能・高信頼性のGaN半導体を設計・製造を行う。
本件買収により、ルネサスはTransphorm社のGaN技術を獲得し、ワイドバンドギャップのポートフォリオを拡充する。
GaNは、より高いスイッチング周波数、より低い電力損失、そしてより小さい形状を実現し、顧客のシステムコストを低減しながら、高効率化、小型化、軽量化できます。そのため、GaNの市場が年率50%以上成長するとの市場予測もある。
ルネサスは、車載用規格に対応したTransphorm社のGaN技術を活かし、急速に拡大する市場機会に対して、EV向けX-in-1パワートレイン用途やコンピューティング、エネルギー、産業、民生向けのパワーソリューションの提供力を強化していく。
【電子部品・電気機械器具製造業界のM&A・事業承継の動向はこちら】
（提供：日本M&Aセンター）
