矢野経済研究所
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IoTの普及、脱炭素社会実現に向けた需要増を背景に、2030年のパワー半導体世界市場規模は369億8,000万ドルまで拡大すると予測

～SiCパワー半導体は新エネルギー機器、EV向けの需要がけん引し、2030年の同世界市場規模は64億5,000万ドルに成長見通し～

株式会社矢野経済研究所（代表取締役社長：水越孝）は、パワー半導体の世界市場の調査を実施し、市場概況や採用動向、個別メーカの設備投資計画や製品戦略を明らかにした。ここでは、2030年までの世界市場規模予測について、公表する。

パワー半導体の世界市場規模予測

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1.市場概況

2021年におけるパワー半導体の世界市場規模（メーカ出荷金額ベース）は前年比20.1%増の223億7,000万ドルであった。ここ数年横ばいで推移していた市場は、2021年第2四半期からパワー半導体メーカで受注が積みあがり、後半から増加基調に転じて通年で二桁のプラス成長となった。
2022年はパワー半導体メーカへの受注は好調であったが、半導体製造用の材料や装置、パワーエレクトロニクスに必要な部品の需給が逼迫し、パワーモジュール用の部材調達も厳しい状況が続いたため、2022年のパワー半導体の世界市場は前年比6.8%増の238億9,000万ドルにとどまる見込みである。
2023年は、民生用の白物家電、新エネルギー向け産業機器、xEV向けパワー半導体の需要が拡大しており、特に太陽光発電や風力発電システム、HV（ハイブリッド車）やEV（電気自動車）のコンバータ/インバータで使われるパワーモジュールの高い伸びが期待できる。そうしたことから、2023年のパワー半導体の世界市場は前年比8.0％増の258億1,000万ドルになると予測する。

2.注目トピック

2022年のSiCパワー半導体の世界市場規模は14億6,000万ドルの見込み

2022年のSiC（シリコンカーバイド）パワー半導体の世界市場規模（メーカ出荷金額ベース）は前年比13.2%増の14億6,000万ドルの見込みである。優れた特性を持つSiCパワー半導体は、データセンター向けサーバーや5G基地局、太陽光発電用PCS（パワーコンディショナー）、産業機器向け補助電源、EV用OBC（車載用充電器）やコンバータなどの補機類で使われており、SiC-SBD（ショットキーバリアダイオード）だけでなくSiC-MOSFETの採用も進んでいる。
なお、2020年から大きく伸長しているのが、xEV用SiCパワー半導体である。これまではコスト面からEV用OBCが中心であったが、EV向け主機モータ駆動用インバータへの採用が伸びている。そのため、2025年のSiCパワー半導体の世界市場は29億2,000万ドルに拡大すると予測する。

3.将来展望

2030年のパワー半導体の世界市場規模（メーカ出荷金額ベース）は369億8,000万ドルに拡大すると予測する。2024年以降もIoT（Internet of Things）の普及拡大、脱炭素社会実現に向けて、情報通信や民生、産業、自動車の各分野でパワー半導体の需要は堅調に推移する見込みである。特に、自動車分野は2026年～2028年頃に向けてEV（電動化）、ADAS/AD（先進運転支援システム／自動運転）、E/Eアーキテクチャ（統合ECU化による集中制御、車両におけるECUやセンサ、アクチュエータの設計・構成）、IVI（次世代車載情報通信システム）、コネクテッドカーの開発が同時に進んでおり、クルマ一台あたりのパワー半導体搭載金額が急激に増加する見通しである。

SiCパワー半導体では、パワー半導体メーカ各社の設備投資が活発化しており、各国による次世代半導体政策が強化されるため、供給量は増加して搭載用途も広がる見込みである。SiCパワー半導体市場をけん引するのは、新エネルギー（太陽光/風力発電）機器やEV用インバータ向けSiCパワーモジュールであり、特に2026年～2027年頃に投入される新型EVにおいてSiCを適用したインバータの採用が進む見込みであり、バッテリ容量が大きく800V給電システムを採用するハイエンドEV（高級・大型EV）向けの需要が伸長する見通しである。2030年のSiCパワー半導体の世界市場は、パワー半導体世界市場の17.4%を占める64億5,000万ドルに成長すると予測する。

調査要綱



1.調査期間： 2022年10月～2023年2月
2.調査対象： パワー半導体メーカ、ウエハーメーカ、システムメーカ
3.調査方法： 当社専門研究員による直接面談（オンライン含む）、電話・e-mailによるヒアリング、ならびに文献調査併用
＜パワー半導体とは＞
パワー半導体とは、主にインバータ / コンバータ回路で使われており、電力のスイッチングや変換、モータ制御等で必要となる半導体デバイスである。
本調査では、パワーMOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）／IPD（Intelligent Power Device）や、ダイオード、IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）、パワーモジュール、バイポーラトランジスタ、SiC（シリコンカーバイド）を使ったパワー半導体等を対象とした。
＜市場に含まれる商品・サービス＞
MOSFET、IPD、ダイオード、IGBT、パワーモジュール、バイポーラトランジスタ、SiC / GaNパワー半導体

出典資料について

資料名2023 進展するパワー半導体の最新動向と将来展望
発刊日2023年02月28日
体裁A4 97ページ
価格（税込）176,000円　（本体価格 160,000円）

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