2027年のワイドバンドギャップ半導体単結晶世界市場は325億円と予測
～パワーデバイスの本格普及や採用増を背景に、2020年対比約2.8倍に成長見通し～
株式会社矢野経済研究所（代表取締役社長：水越孝）は、世界のワイドバンドギャップ半導体単結晶市場を調査し、製品セグメント別の動向、参入企業動向、将来展望を明らかにした。
ワイドバンドギャップ半導体単結晶世界市場規模推移・予測
1.市場概況
パワーデバイスを中心に採用が進んでいるワイドバンドギャップ半導体単結晶世界市場は数量と金額ともに近年成長が続いている。2021年の同市場規模（メーカー出荷ベース）を面積ベースで1,113万1,720平方センチメートル、金額ベースでは124億1,500万円になると予測する。
材料別に現状をみると、SiC（炭化ケイ素）がすでに多くの用途に採用されており、本格的な成長ステージに差し掛かっている。市場が急成長するタイミングは2023年以降の見込みであり、車載アプリケーションへの採用がポイントとなっている。
GaN（窒化ガリウム）は、SiCに次ぐポジションになっており、LEDやLDなどの照明用途が中心であるが、パワーデバイスや高周波用途では非常に優れたデバイスとして今後の伸長が期待される。また、GaNの課題であるウエハーの大口径化についても改善の兆しが表れている。
次に期待されているGa2O3（酸化ガリウム）は急成長の兆候がある。Ga2O3はコスト・性能等のポテンシャルが高く、2025年頃の量産化に向けて様々なプレーヤーによって研究開発が進められており、ウエハーの大口径化や、SBD（Schottky Barrier Diode）デバイスの開発、サンプル出荷の展開へと着々と進んでいる。
AlN（窒化アルミニウム）は、深紫外線のLEDとして注目されている。口径2インチ品が市場へ投入されており、新型コロナウイルスの影響による除菌・殺菌ニーズの拡大もあり、普及が始まっている。しかし、サファイア基板を用いたタイプの深紫外線LED性能が向上しており、AlNを下地基板として採用したユニバーサルな波長を活かしたアプリケーションへの展開が期待される。
また、究極の半導体材料であるダイヤモンドの期待値は高い。量産となる口径2インチ品への見通しが立ち、デバイス化の研究が継続している。
2.注目トピック
パンデミックで衛生観念が変わる、AlN（窒化アルミニウム）への要求は多様化
かねてより研究対象として歴史があるにも関わらず、研究開発の余地が多いとされるAlN（窒化アルミニウム）単結晶基板であるが、新型コロナウイルスの影響で製品開発が急ピッチに進んでいる。コロナ禍以前では除菌や殺菌に対するニーズはそれなりにあったものの、その希求度はその他のアプリケーションと同程度に認識されていた。
しかし、世界的なパンデミックにより、人類の衛生観念は大きく変わりつつあり、深紫外線のLEDによる除菌・殺菌アプリケーションの開発は市場からの要求が多く多様になってきている。また、この殺菌機能は、水や対象物の表面、空間だけでなく、分析機器や検査機器にも応用が期待されており、その用途における開発も今後進められると考えられる。
さらに、AlNは高いバンドギャップを持つことから、パワーデバイスや既存材料では対応しきれない領域の高周波用途としての研究も、将来的に盛んになることが想定される。また、今後はそれだけでなく短波長を活かした高密度光記録や、波長が選択できることによる成形物や印刷インクに必須である樹脂硬化にも活躍のフィールドを広げていく見込みである。
AlN単結晶基板を採用したアプリケーションは殺菌がメインとなるが、265nmというユニバーサルな波長を活用したい分析や研究における特異光源としても認識されている。
3.将来展望
今後、パワーデバイスの本格普及や、アプリケーションへの採用種類と搭載数の増加を背景として、市場は拡大傾向にて推移し、2027年のワイドバンドギャップ半導体単結晶世界市場（メーカー出荷金額ベース）を325億2,300万円と予測する。
材料別に内訳をみると、SiCが237億400万円（構成比72.9%）、GaNは54億円（同16.6％）、Ga2O3は19億円（同5.8%）、AlNは10億8,000万円（同3.3％）、ダイヤモンドは4億3,900万円（同1.3%）になる見通しである。
今後、研究開発用途での需要増加とともに、それぞれの材料で各アプリケーションへの採用と搭載が進むことになる。先行するSiCでは口径6インチウェハーの構成比が増加しており、8インチの製造もいよいよ始まる見込みである。また、参入企業も増えており、競争が激しくなると想定する。さらに、Si（シリコン）代替だけでなく、材料同士でのワイドバンドギャップ半導体単結晶市場の取り合いも発生することになり、Si対比だけでない性能やコストの戦いとなると考える。
調査要綱
|
1.調査期間： 2021年4～8月 2.調査対象： ワイドバンドギャップ半導体単結晶メーカー、関連企業、研究機関等 3.調査方法： 当社専門研究員による直接面談（オンライン含む） |
|
＜ワイドバンドギャップ半導体単結晶とは＞ 本調査におけるワイドバンドギャップ（Wide-Bandgap）半導体単結晶とは、シリコン（Si）より大きなバンドギャップを持つ半導体（化合物半導体）単結晶を指し、パワー半導体などの次世代材料として期待されている炭化ケイ素（SiC）、窒化ガリウム（GaN）、酸化ガリウム（Ga2O3）、窒化アルミニウム（AlN）、ダイヤモンドを対象とする。 但し、SiCには高周波デバイス用、LED用の単結晶を含まない。 |
|
＜市場に含まれる商品・サービス＞ ワイドバンドギャップ半導体単結晶 |
出典資料について
| 資料名 | 2021年版 ワイドバンドギャップ半導体単結晶市場の現状と展望／SiからSiC、GaN、Ga2O3など革新素材へ不可逆転換 |
| 発刊日 | 2021年09月07日 |
| 体裁 | A4 128ページ |
| 定価 | 165,000円 （本体価格 150,000円） |
お問い合わせ先
| 部署 | マーケティング本部 広報チーム |
| 住所 | 〒164-8620 東京都中野区本町2-46-2 |
| 電話番号 | 03-5371-6912 |
| メールアドレス | press＠yano.co.jp |
©2021 Yano Research Institute Ltd. All Rights Reserved.
本資料における著作権やその他本資料にかかる一切の権利は、株式会社矢野経済研究所に帰属します。
報道目的以外での引用・転載については上記広報チームまでお問い合わせください。
利用目的によっては事前に文章内容を確認させていただく場合がございます。
