パワー半導体世界市場は2021年から一部の需要分野で回復基調となり、2025年には243億5,100万ドルまで拡大すると予測
~新型コロナウイルスの影響により、2020年の市場規模は前年比9.0%減となる169億4,500万ドルに縮小見込~
株式会社矢野経済研究所(代表取締役社長:水越孝)は、パワー半導体の世界市場の調査を実施し、市場概況や採用動向、個別メーカの事業戦略を明らかにし、2025年までの世界市場規模を予測した。
パワー半導体の世界市場規模予測
1.市場概況
2019年におけるパワー半導体の世界市場規模(メーカ出荷金額ベース)は、前年比0.3%減となる186億1,600万ドルである。2017年は177億4,500万ドル(同12.2%増)、2018年が186億6,500万ドル(同5.2%増)となり、堅調に市場は拡大していたが、2019年下期より産業機器向け、自動車向けの需要が低迷したことで2019年の世界市場はマイナス成長となった。
2020年のパワー半導体世界市場は新型コロナウイルス感染拡大の影響を受けて、前年比9.0%減となる169億4,500万ドルに縮小する見込みである。今回のコロナ禍で2020年の市場は16億7,100万ドルの減額と、リーマンショック時の減少額の約半分ほどにとどまる見通しである。
パワー半導体の需要分野は「情報通信」「民生」「産業」「自動車」の4分野に大きく分けられるが、最も大きく落ち込むのが自動車向けパワー半導体である。2018年~2019年にかけて世界の新車販売台数は前年割れとなり、さらに新型コロナウイルスの影響で自動車メーカが3~4月に工場の稼働を停止しているために、2020年の自動車向けパワー半導体世界市場(メーカ出荷金額ベース)は前年比18.4%減の35億2,600万ドルまで落ち込む見込みである。
一方、「情報通信」「民生」分野向けパワー半導体の減少幅は「産業」「自動車」分野よりは小さく、データセンターや5G(第5世代移動通信システム)基地局向けの設備投資も旺盛であることから、パワー半導体の需要についても堅調に推移する見通しである。
2.注目トピック
2019年のSiCパワー半導体世界市場はxEV向け需要が伸長して5億4,600万ドル
2019年のSiC(シリコンカーバイド)パワー半導体の世界市場規模(メーカ出荷金額ベース)は前年比23.5%増の5億4,600万ドルである。
SiCパワー半導体は、データセンター向けサーバーや太陽光発電用PCS(パワーコンディショナー)、産業機器用電源、EV用充電ステーションやオンボードチャージャー(以下、OBC)等で使われており、SiC-SBDだけでなくSiC-MOSFETの採用も進んでいる。但し、2019年下期より「情報通信」「産業」分野は調整局面にあるために、SiCパワー半導体の増加率も小幅にとどまった。
一方で2018年から大きく伸長しているのが、自動車向けSiCパワー半導体である。これまではコスト面からEV用OBCに採用が限定されていたが、一部のEVでモータ駆動用インバータでの採用が始まり、2019年の市場規模は前年比2倍以上に伸長している。今後、高容量バッテリー、800V給電システムを採用するEV高級車へのインバータでの搭載が見込まれるために、2025年のSiCパワー半導体の世界市場規模はEV用インバータ向けが市場をけん引し、18億2,000万ドルに達すると予測する。
3.将来展望
新型コロナウイルスの影響を受けて、2020年は成長が鈍化するパワー半導体世界市場であるが、2021年は一部の需要分野から回復基調に転じ、2022年には2019年の市場規模を超える見通しである。2019年から2025年までの年平均成長率(CAGR)は4.6%となり、2025年のパワー半導体世界市場規模(メーカ出荷金額ベース)は243億5,100万ドルに成長を予測する。
特に「情報通信」分野は、データセンター、5G基地局への設備投資が活発化するために、2021年から増加基調になる見込みである。5G基地局はMOSFETやダイオードの搭載金額が4G基地局搭載金額の数倍であり、5Gの普及拡大がパワー半導体市場を押し上げると考える。「民生」「産業」分野についても2022年に市場は回復し、2023年からは成長推移する見通しである。一方で、最も回復時期が遅れるのが「自動車」分野である。日本や中国における新車販売台数の回復は早いが、その他地域での成長が低迷するために、2023年頃までパワー半導体の需要は小幅な増加にとどまると予測する。
調査要綱
1.調査期間: 2020年1月~6月 2.調査対象: パワー半導体メーカ、ウエハーメーカ、システムメーカ 3.調査方法: 当社専門研究員による直接面談、電話・e-mailによるヒアリング、ならびに文献調査併用 |
<パワー半導体とは> パワー半導体とは、主にインバータ / コンバータ回路で使われており、電力のスイッチングや変換、モータ制御等で必要となる半導体素子である。 本調査では、パワーMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)/IPD(Intelligent Power Device)やダイオード、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、パワーモジュール、バイポーラトランジスタ、SiC(シリコンカーバイド)を使ったパワー半導体等を対象とした。 |
<市場に含まれる商品・サービス> MOSFET、IPD、ダイオード、IGBT、パワーモジュール、バイポーラトランジスタ、SiC / GaNパワー半導体 |
出典資料について
資料名 | 2020 進展するパワー半導体の最新動向と将来展望 |
発刊日 | 2020年06月30日 |
体裁 | A4 126ページ |
定価 | 130,000円(税別) |
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